Твердотельные накопители (SSD) Samsung
объем 2000 Гб (буфер: 2048 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 5100 Мб/с, скорость чтения: 7000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe
объем 2000 Гб (буфер: 2048 Мб), форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 530 Мб/с, скорость чтения: 560 Мб/с, SATA 6Gb/s, TRIM
объем 2000 Гб (буфер: 2048 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 3300 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM
объем 2000 Гб (буфер: 2048 Мб), форм-фактор: 2.5'', флэш-память: QLC 3D NAND, скорость записи: 530 Мб/с, скорость чтения: 560 Мб/с, SATA 6Gb/s, TRIM
объем 1000 Гб (буфер: 1024 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 6900 Мб/с, скорость чтения: 7450 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe
объем 2000 Гб (буфер: 2048 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 6900 Мб/с, скорость чтения: 7450 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe
объем 500 Гб (буфер: 512 Мб), форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 530 Мб/с, скорость чтения: 560 Мб/с, SATA 6Gb/s, TRIM
объем 1000 Гб (буфер: 1024 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 3300 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM
объем 250 Гб (буфер: 512 Мб), форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 530 Мб/с, скорость чтения: 560 Мб/с, SATA 6Gb/s, TRIM
объем 1000 Гб (буфер: 1024 Мб), форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 530 Мб/с, скорость чтения: 560 Мб/с, SATA 6Gb/s, TRIM
объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: V-NAND 3-bit MLC, скорость записи: 3000 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM
объем 1000 Гб (буфер: 1024 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 5000 Мб/с, скорость чтения: 7000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4
объем 250 Гб (буфер: 512 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2300 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM
объем 500 Гб (буфер: 512 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 3200 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM
объем 2000 Гб (буфер: 2048 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 5100 Мб/с, скорость чтения: 7000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4
объем 500 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: V-NAND 3-bit MLC, скорость записи: 2600 Мб/с, скорость чтения: 3100 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM
объем 500 Гб (буфер: 512 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 5000 Мб/с, скорость чтения: 6900 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe, TRIM
объем 250 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: V-NAND 3-bit MLC, скорость записи: 1300 Мб/с, скорость чтения: 2900 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM
объем 240 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 320 Мб/с, скорость чтения: 550 Мб/с, SATA 6Gb/s
объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 5000 Мб/с, скорость чтения: 6900 Мб/с, PCI-E 4.0 x4
объем 1920 Гб, форм-фактор: 2.5'', скорость записи: 4000 Мб/с, скорость чтения: 6800 Мб/с, PCI-E 4.0 x4
объем 1000 Гб (буфер: 1024 Мб), форм-фактор: 2.5'', флэш-память: QLC 3D NAND, скорость записи: 530 Мб/с, скорость чтения: 560 Мб/с, SATA 6Gb/s, TRIM
объем 4000 Гб (буфер: 4096 Мб), форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 530 Мб/с, скорость чтения: 560 Мб/с, SATA 6Gb/s, TRIM
объем 960 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 530 Мб/с, скорость чтения: 560 Мб/с, SATA 6Gb/s
объем 960 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 4000 Мб/с, скорость чтения: 6800 Мб/с, PCI-E 4.0 x4
| ✅ | Самый дешевый ssd диск: 44.46 BYN |
| ⭐ | Самый дорогой ssd диск: 31029.02 BYN |
| ✅ | Самый популярный ssd диск: Samsung 980 Pro 2TB MZ-V8P2T0BW |
| ⭐ | Популярный бренд категории твердотельные накопители (ssd): Samsung |